iCAP RQ ICP-MS 配置和性能指標(biāo) 配置 霧化器：硼硅玻璃 霧化室：石英，旋流 等離子炬：石英，可裝載，無屏蔽 進(jìn)樣器：石英，2 .5 mm內(nèi)徑；選項(xiàng)為：1 .0和2.0mm內(nèi)徑 采樣錐/接口: Ni錐，耐受高鹽基質(zhì)的接口；選項(xiàng)為：Ni錐，耐受的接口（已提供）和高靈敏度的 數(shù)字控制等離子體氣流：3路 增加的質(zhì)量流量控制器（如：用于有機(jī)物進(jìn)樣的O2，用于激光剝蝕進(jìn)樣的He）：可選（兩個(gè)） iCAP RQ配置 C1 C2 氦碰撞池質(zhì)量流量控制MFC 有 有 增加的池MFC，如H2/He, O2等 *FUO 有 STD模式： 標(biāo)準(zhǔn)模式靈敏度 kcps/ppb 7Lib 55 59Cob 100 115Inb 240 238Ub 330 檢出限（ppt）a/ng/L 9 Be < 0.5 115 In < 0.1 209 Bi < 0.1 氧化物占比（%） CeO/Ceb <2 雙電荷占比（%） Ba++/Ba+b <3 隨機(jī)背景（cps） m/z 4.5b <1 穩(wěn)定性 (%RSD) 短期b <2 (10分鐘） 長(zhǎng)期 <3（2小時(shí)） 同位素比率精度（%RSD) 　 107Ag/ 109Ag <0.1 He KED 模式 靈敏度（kcps/ppb） Cob 30 背景（cps） m/z 4.5b < 0.5 * FUO - 現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)選項(xiàng) a 典型值，依賴于化學(xué)品的清潔程度 b 安裝演示 注意：只在上表列出的缺省樣品進(jìn)樣的組分中，可以做出安裝指標(biāo)